William Bradford Shockley

Na Galipedia, a Wikipedia en galego.
(Redirixido desde "William Shockley")
William Bradford Shockley Jr. Nobel prize medal.svg
William Shockley, Stanford University.jpg
William Shockley o 1975.
Datos persoais
Nacemento 13 de febreiro de 1910
Lugar Londres, Reino Unido
Falecemento 12 de agosto de 1989
Lugar Stanford, California
Soterrada {{{soterrada}}}
Soterrado {{{soterrado}}}
Residencia {{{residencia}}}
Nacionalidade {{{nacionalidade}}}
Etnia {{{etnia}}}
Cóncuxe {{{cónxuxe}}}
Fillos {{{fillos}}}
Relixión
Actividade
Campo
Alma mater
Instituacións {{{institucións}}}
Sociedades {{{sociedades}}}
Tese {{{tese}}}
Dir. de tese {{{director_de_tese}}}
Dir. tese
Alumnos tese
Alumnos dest. {{{alumnos_doctorais}}}
Coñecido por
Influído por
Influíu en
Premios Premio Nobel de Física en 1956

[[Ficheiro:{{{sinatura}}}|centro|150px]]

William Bradford Shockley, nado en Londres o 13 de febreiro de 1910 e finado en Stanford (California) o 12 de agosto de 1989, foi un físico estadounidense, galardoado co Premio Nobel de Física no ano 1956.

Traxectoria[editar | editar a fonte]

Era fillo de pais norteamericanos. Instalado coa súa familia en California estudou física no Instituto Tecnolóxico de California para doutorarse no ano 1936 no Instituto Tecnolóxico de Massachusetts.

Finou por mor dun cancro de próstata.

Investigacións científicas[editar | editar a fonte]

Iniciou os seus primeiros traballos ao redor dos electróns nos Laboratorios Bell de Nova Jersey, continuando posteriormente na investigación sobre o radar, até que en 1942 abandonou o seu trabalo nos Laboratorios Bell para desempeñar o cargo de director do Grupo de investigación da guerra antisubmarina da Universidade de Columbia.

Ao final da Segunda Guerra Mundial os laboratorios Bell formaron un grupo de traballo ao redor da física de estado sólido, conducido por Shockley e o químico Stanley Morgan, coa colaboración de John Bardeen, Walter Houser Brattain, Gerald Pearson, Robert Gibney, Hilbert Moore e varios técnicos. A súa asignación era buscar unha alternativa de estado sólido aos amplificadores de cristal fráxiles da válvula sen carga. As súas primeiras tentativas foron baseadas nas ideas de Shockley sobre usar un campo eléctrico externo nun semicondutor para afectar á súa condutividade. Estes intentos fallaron a cada proba, até que Bardeen suxeriu unha teoría que facía que os estados superficiais evitaran que o semicondutor penetrase no campo. As súas procuras continuaron coa descrición do diodo, a versión electrónica da válvula sen carga. As súas procuras ao redor dos semiconductores levárono a formular o 4 de xullo de 1951 o transistor bipolar, obtendo o seu patente o setembro do mesmo ano.


En 1957 fundou o seu propio laboratorio de investigación, Fairchild Semiconductor, pero a súa forma de levar a empresa provocou que oito dos seus investigadores abandonasen a compañía o 1958, entre eles Robert Noyce e Gordon Moore que máis tarde crearían Intel.

No ano 1956 foi galardoado co Premio Nobel de Física, xunto con John Bardeen e Walter Houser Brattain, pola súa investigación en semicondutores e polo descubrimento do efecto transistor.

A finais da década de 1960 Sockley realizou unhas controvertidas declaracións sobre as diferenzas intelectuais entre as razas, defendendo que os test de intelixencia mostraban un factor xenético na capacidade intelectual revelando que os afro-norteamericanos eran inferiores aos norteamericanos brancos, así como que a maior taxa de reprodución entre os primeiros tivo un efecto regresivo na evolución.

Véxase tamén[editar | editar a fonte]

Ligazóns externas[editar | editar a fonte]