Leo Esaki
| Leo Esaki | |
|---|---|
 | |
| Nacemento | 12 de marzo de 1925 |
| Osaca | |
| Nacionalidade | Xapón |
| Educado en | Universidade de Toquio e Universidade de Quioto |
| Ocupación | físico |
| Premios | IBM Fellow, Ordem da Cultura, Premio Nobel de Física, Medalha Stuart Ballantine, Prêmio Harold Pender, Medalha de Honra IEEE, Order of the Rising Sun, 1st class, Prêmio Memorial Morris N. Liebmann IEEE, Pessoa de Mérito Cultural, Asahi Prize, Fellow of the American Physical Society e Prêmio Japão |
| [ editar datos en Wikidata ] | |
Leo Esaki (en xaponés: 江崎 玲於奈, えさき れおな, Esaki Reona), nado en Osaca o 12 de marzo de 1925, é un físico xaponés galardoado co Premio Nobel de Física no ano 1973.
Traxectoria[editar | editar a fonte]
Estudou física na Universidade de Toquio, licenciándose en 1947 e doutorándose en 1959. Tras traballar como investigador na empresa Sony, en 1960 trasladouse aos Estados Unidos onde foi contratado no centro de investigación da empresa IBM Thomas J. Watson Research Center.
Investigacións científicas[editar | editar a fonte]
Interesado na mecánica cuántica realizou investigacións ao redor do efecto túnel sobre os semicondutores e superconductores, explicando o efecto do diodo de Esaki polo cal estudou o paso de electróns a través dunha barreira sólida sen deixar ningún rastro, reagrupándose despois na súa formación inicial. Esta teoría ten aplicacións actuais en electrónica, medicina e astronáutica.
No ano 1973 foi galardoado co Premio Nobel de Física, xunto con Ivar Giaever e Brian David Josephson, polos experimentos ao redor de semicondutores e supercondutores.
Véxase tamén[editar | editar a fonte]
Ligazóns externas[editar | editar a fonte]
|
