Leo Esaki

Leo Esaki
Nacemento	12 de marzo de 1925
Lugar de nacemento	Osaca
Nacionalidade	Xapón
Alma máter	Universidade de Toquio, Universidade de Quioto e Third Higher School
Ocupación	físico
Premios	IBM Fellow, Orden da Cultura, Premio Nobel de Física, Medalha Stuart Ballantine, Prêmio Harold Pender, Medalha de Honra IEEE, Order of the Rising Sun, 1st class, Prêmio Memorial Morris N. Liebmann IEEE, Pessoa de Mérito Cultural, Asahi Prize, Fellow of the American Physical Society, Prêmio Japão, Prêmio Nishina e Prêmio James C. McGroddy para Novos Materiais
Na rede
[ editar datos en Wikidata ]

Leo Esaki (en xaponés: 江崎 玲於奈, えさき れおな, Esaki Reona), nado en Osaca o 12 de marzo de 1925, é un físico xaponés galardoado co Premio Nobel de Física no ano 1973.

Traxectoria

Estudou física na Universidade de Toquio, licenciándose en 1947 e doutorándose en 1959. Tras traballar como investigador na empresa Sony, en 1960 trasladouse aos Estados Unidos onde foi contratado no centro de investigación da empresa IBM Thomas J. Watson Research Center.

Investigacións científicas

Interesado na mecánica cuántica realizou investigacións ao redor do efecto túnel sobre os semicondutores e superconductores, explicando o efecto do diodo de Esaki polo cal estudou o paso de electróns a través dunha barreira sólida sen deixar ningún rastro, reagrupándose despois na súa formación inicial. Esta teoría ten aplicacións actuais en electrónica, medicina e astronáutica.

No ano 1973 foi galardoado co Premio Nobel de Física, xunto con Ivar Giaever e Brian David Josephson, polos experimentos ao redor de semicondutores e supercondutores.

Véxase tamén

Ligazóns externas

• Páxina do Instituto Nobel, Premio Nobel de Física 1973 (en inglés)