Walter Houser Brattain
Walter Houser Brattain | |
---|---|
![]() | |
Nacemento | 10 de febreiro de 1902 |
Lugar de nacemento | Xiamen - 厦门 |
Falecemento | 13 de outubro de 1987 |
Lugar de falecemento | Seattle |
Causa | Alzhéimer |
Nacionalidade | Estados Unidos de América |
Alma máter | Whitman College, Universidade de Oregon, Universidade de Minnesota, Queen Anne High School, Tonasket High School e University of Oregon College of Arts and Sciences |
Ocupación | físico e inventor |
Cónxuxe | Keren Gilmore Brattain e Emma Jane Miller |
Irmáns | Robert Brattain |
Premios | Premio Nobel de Física, Medalha Stuart Ballantine, Medalha John Scott, Salón da Fama dos Inventores Nacionais e Premio Memorial Richtmyer |
Na rede | |
![]() ![]() ![]() | |
[ editar datos en Wikidata ] | |
Walter Houser Brattain, nado en Xiamen (China) o 10 de febreiro de 1902 e finado en Seattle (Washington) o 13 de outubro de 1987, foi un físico norteamericano galardoado co Premio Nobel de Física no ano 1956.
Traxectoria[editar | editar a fonte]
Naceu na cidade de Xiamen, situada na provincia chinesa de Fujian. Estudou no Whitman College de Walla Walla, no Estado de Washington, licenciándose en física e matemáticas en 1924.
Investigacións científicas[editar | editar a fonte]
Tras traballar como físico na división de radio do Instituto Nacional de Modelos e Tecnoloxía, o 1929 incorporouse aos Laboratorios Bell. O seu principal campo de investigación foi o estudo das propiedades das superficies dos sólidos, e en particular a da estrutura atómica dun material a nivel superficial, a cal difire da do interior. Xunto aos físicos norteamericanos William Shockley, director do proxecto, e John Bardeen inventaron un pequeno dispositivo electrónico denominado transistor. Anunciouse por primeira vez en 1948 e acabouse o 4 de xullo de 1951, empregándose comercialmente en radios portátiles, audífonos e outros aparellos.
No ano 1956 foi galardoado co Premio Nobel de Física, xunto con Shocley e Bardeen, pola súa investigación en semicondutores e polo descubrimento do efecto transistor.