Isamu Akasaki

Na Galipedia, a Wikipedia en galego.
Saltar ata a navegación Saltar á procura
Isamu Akasaki
Isamu Akasaki 201111.jpg
Nacemento30 de xaneiro de 1929
 Chiran
Falecemento1 de abril de 2021
 Nagoia
Causapneumonía
NacionalidadeXapón
Alma máterUniversidade de Quioto, Kōnan High School, Seventh Higher School e Universidade de Nagoya
Ocupaciónfísico, profesor, científico e enxeñeiro
IrmánsMasanori Akasaki
PremiosOrder of the Rising Sun, 3rd class, Medalha Edison IEEE, Orden da Cultura, Premio Nobel de Física, Prêmio Charles Stark Draper, Prémio Imperial da Academia do Japão, Pessoa de Mérito Cultural, Kyoto Prize in Advanced Technology, Asahi Prize, Premios Kyoto, Medal with Purple Ribbon e IEEE Fellow
editar datos en Wikidata ]

Isamu Akasaki (en xaponés: 赤崎 勇), nado o 30 de xaneiro de 1929, e finado o 1 de abril de 2021, foi un enxeñeiro e físico xaponés, galardoado co Premio Nobel de Física no ano 2014, especializado no eido dos semicondutores, coñecido pola invención dos LED azuis mediante unha xunción P–N de nitruro de galio (GaN) en 1989.[1][2][3][4]

Por este e outros éxitos, Akasaki foi galardoado con moitos premios de gran prestixio, tales como o Premio Quioto de Tecnoloxía Avanzada en 2009,[5] e a Medalla Edison IEEE en 2011.[6] Tamén foi galardoado co premio Nobel de Física de 2014, xunto con Hiroshi Amano e Shuji Nakamura,[7] "pola invención de díodos emisores de luz azul eficientes, que permitiron o desenvolvemento de fontes de luz azul enerxeticamente eficientes". En 2021, Akasaki, foi galardoado co Premio Raíña Isabel de Enxeñaría "pola creación e desenvolvemento de iluminación LED, constituentes da base de toda a tecnoloxía de iluminación de estado sólido".[8]

Notas[editar | editar a fonte]

  1. ""Japanese Journal of Applied Physics". Jsap.jp. Arquivado do orixinal do 22 de xullo de 2012.". 2012-07-22. Consultado o 2021-04-02. 
  2. Amano, Hiroshi; Kito, Masahiro; Hiramatsu, Kazumasa; Akasaki, Isamu (1 de decembro de 1989). "P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI)". Japanese Journal of Applied Physics (en inglés) 28: L2112. ISSN 1347-4065. doi:10.1143/JJAP.28.L2112. 
  3. Isamu Akasaki; Hiroshi Amano; Masahiro Kito; Kazumasa Hiramatsu (1 de xaneiro de 1991). "Photoluminescence of Mg-doped p-type GaN and electroluminescence of GaN p-n junction LED". Journal of Luminescence (en inglés). 48-49: 666–670. ISSN 0022-2313. doi:10.1016/0022-2313(91)90215-H. 
  4. Hiramatsu, Kazumasa; Amano, Hiroshi; Akasaki, Isamu; Kato, Hisaki; Koide, Norikatsu (1 de xaneiro de 1991). "MOVPE growth of GaN on a misoriented sapphire substrate". Journal of Crystal Growth 107: 509–512. ISSN 0022-0248. doi:10.1016/0022-0248(91)90512-4. 
  5. "INAMORI FOUNDATION". 4 de marzo de 2016. Consultado o 2 de abril de 2021. 
  6. ""IEEE Jack S. Kilby Signal Processing Medal Recipients" (PDF)" (PDF). IEEE. 
  7. "The Nobel Prize in Physics 2014" (en inglés). Consultado o 2021-04-02. 
  8. "LED Lighting" (en inglés). Consultado o 2 de abril de 2021.