Leo Esaki: Diferenzas entre revisións
m elimino a Categoría:Científicos do Xapón; engado a Categoría:Físicos do Xapón mediante HotCat |
m elimino a Categoría:Personalidades da física mediante HotCat |
||
Liña 18: | Liña 18: | ||
{{Premios Nobel de Física}} |
{{Premios Nobel de Física}} |
||
[[Categoría:Personalidades da física|Esaki, Leo]] |
|||
[[Categoría:Premio Nobel de Física|Esaki, Leo]] |
[[Categoría:Premio Nobel de Física|Esaki, Leo]] |
||
[[Categoría:Personalidades do Xapón|Esaki, Leo]] |
[[Categoría:Personalidades do Xapón|Esaki, Leo]] |
Revisión como estaba o 8 de outubro de 2012 ás 13:39
Leo Esaki (en xaponés: 江崎 玲於奈, えさき れおな, Esaki Reona) ( Osaka, Xapón 1925 ) é un físico xaponés galardoado co Premio Nobel de Física no ano 1973.
Biografía
Naceu o 12 de marzo de 1925 na cidade xaponesa de Osaka. Estudou física na Universidade de Toquio, licenciándose en 1947 e doutorándose en 1959. Tras traballar como investigador na empresa Sony, oen1960 trasladouse aos Estados Unidos onde foi contratado no centro de investigación da empresa IBM Thomas J. Watson Research Center.
Inevstigacións científicas
Interesado na mecánica cuántica realizou investigacións ao redor do efecto túnel sobre os semicondutores e superconductores, explicando o efecto do diodo de Esaki polo cal estudou o paso de electróns a través dunha barreira sólida sen deixar ningún rastro, reagrupándose despois na súa formación inicial. Esta teoría ten aplicacións actuais en electrónica, medicina e astronáutica.
No ano 1973 foi galardoado co Premio Nobel de Física, xunto con Ivar Giaever e Brian David Josephson, polos experimentos ao redor de semicondutores e supercondutores.