MOSFET

MOSFET
Subclase de transistor de efecto de campo de porta illada  Uso circuíto integrado
Implicados  Inventor/a ou descubridor/a Martin Atalla Dawon Kahng
Códigos e identificadores Freebase /m/0b1qf OpenAlex C2778413303 e C2778673556
Wikidata C:Commons

En electrónica, o transistor de efecto de campo de metal-óxido-semicondutor (en inglés: metal–oxide–semiconductor field-effect transistor abreviado como MOSFET, MOS-FET, MOS FET ou transistor MOS) é un tipo de transistor de efecto de campo (FET), fabricado máis comunmente mediante a oxidación controlada do silicio. Ten unha porta illada, cuxa tensión determina a condutividade do dispositivo. Esta capacidade de cambiar a condutividade coa cantidade de tensión aplicada pódese usar para amplificar ou conmutar sinais electrónicos. O termo transistor de efecto de campo metal-illante-semicondutor (MISFET) é case sinónimo de MOSFET. Outro termo case sinónimo é transistor de efecto de campo de porta illada (IGFET).

Visión xeral

Dous MOSFET de potencia en encapsulados de montaxe superficial D2PAK. Funcionando como interruptores, cada un destes compoñentes pode soportar unha tensión de bloqueo de 120 V no estado apagado e pode conducir unha corrente continua de 30 A no estado acendido, disipando ata uns 100 W e controlando unha carga de máis de 2000 W. Móstrase un misto para a escala.

O físico Julius Edgar Lilienfeld propuxo por primeira vez o concepto dun transistor de efecto de campo (FET) en 1925, pero non foi posible construír un dispositivo funcional nese momento. O primeiro transistor de efecto de campo de metal-óxido-semicondutor (MOSFET) funcional foi inventado en 1959 polos enxeñeiros Mohamed Atalla e Dawon Kahng nos Laboratorios Bell. O seu avance — a fabricación dun transistor de efecto de campo práctico, facilitado polo traballo anterior de Atalla sobre a pasivación da superficie do silicio e a oxidación térmica — revolucionou a electrónica e abriu o camiño para radios, calculadoras, ordenadores e outros dispositivos electrónicos máis pequenos e baratos.

A principal vantaxe dun MOSFET é que case non require corrente de entrada para controlar a corrente de carga en condicións de estado estacionario ou de baixa frecuencia, especialmente en comparación cos transistores de unión bipolar (BJT). Non obstante, a altas frecuencias ou ao conmutar rapidamente, un MOSFET pode requirir unha corrente significativa para cargar e descargar a súa capacitancia de porta. Nun MOSFET de modo de mellora, a tensión aplicada ao terminal de porta aumenta a condutividade do dispositivo. Nos transistores de modo de esgotamento, a tensión aplicada na porta reduce a condutividade.

O termo «metal» no nome MOSFET ás veces pódese considerar inapropiado, porque o material da porta pode ser unha capa de polisilicio (silicio policristalino). Do mesmo xeito, a palabra «óxido» no nome tamén pode ser un termo inapropiado, xa que se usan diferentes materiais dieléctricos co obxectivo de obter canles fortes con voltaxes aplicadas máis pequenas.

O MOSFET é, de lonxe, o transistor máis común nos circuítos dixitais, xa que un chip de memoria ou un microprocesador poden incluír miles de millóns. Como os MOSFET pódense fabricar cun canal de tipo p ou de tipo n, pódense usar pares complementarios de transistores MOS para crear circuítos de conmutación con consumo de enerxía moi baixo, en forma de lóxica CMOS.

Véxase tamén

Ligazóns externas

• C. Bean, John. "Virtual Lab: How Semiconductors and Transistors Work". We Can Figure This Out.org (en inglés). 

---

Este artigo sobre unha tecnoloxía é, polo de agora, só un bosquexo. Traballa nel para axudar a contribuír a que a Galipedia mellore e medre.  Existen igualmente outros artigos relacionados con este tema nos que tamén podes contribuír.

---