Leo Esaki: Diferenzas entre revisións
m Bot: Engado {{Control de autoridades}}; cambios estética |
m Arranxos varios using AWB |
||
| Liña 3: | Liña 3: | ||
== Traxectoria == |
== Traxectoria == |
||
Estudou [[física]] na Universidade de [[Toquio]], licenciándose en [[1947]] e doutorándose en [[1959]]. Tras traballar como investigador na empresa [[Sony]], en [[1960]] trasladouse aos [[Estados Unidos de América|Estados Unidos]] onde foi contratado no centro de investigación da empresa [[IBM]] ''Thomas J. Watson Research Center''. |
Estudou [[física]] na Universidade de [[Toquio]], licenciándose en [[1947]] e doutorándose en [[1959]]. Tras traballar como investigador na empresa [[Sony]], en [[1960]] trasladouse aos [[Estados Unidos de América|Estados Unidos]] onde foi contratado no centro de investigación da empresa [[IBM]] ''Thomas J. Watson Research Center''. |
||
== Investigacións científicas == |
== Investigacións científicas == |
||
Interesado na [[mecánica cuántica]] realizou investigacións ao redor do [[efecto túnel]] sobre os [[semicondutor]]es e [[Supercondutividade|superconductores]], explicando o efecto do [[diodo de Esaki]] polo cal estudou o paso de [[electrón]]s a través dunha barreira sólida sen deixar ningún rastro, reagrupándose despois na súa formación inicial. Esta teoría ten aplicacións actuais en [[electrónica]], [[medicina]] e [[astronáutica]]. |
Interesado na [[mecánica cuántica]] realizou investigacións ao redor do [[efecto túnel]] sobre os [[semicondutor]]es e [[Supercondutividade|superconductores]], explicando o efecto do [[diodo de Esaki]] polo cal estudou o paso de [[electrón]]s a través dunha barreira sólida sen deixar ningún rastro, reagrupándose despois na súa formación inicial. Esta teoría ten aplicacións actuais en [[electrónica]], [[medicina]] e [[astronáutica]]. |
||
No ano [[1973]] foi galardoado co [[Premio Nobel de Física]], xunto con [[Ivar Giaever]] e [[Brian David Josephson]], ''polos experimentos ao redor de semicondutores e supercondutores''. |
No ano [[1973]] foi galardoado co [[Premio Nobel de Física]], xunto con [[Ivar Giaever]] e [[Brian David Josephson]], ''polos experimentos ao redor de semicondutores e supercondutores''. |
||
| Liña 16: | Liña 16: | ||
{{Premios Nobel de Física}} |
{{Premios Nobel de Física}} |
||
| ⚫ | |||
{{Control de autoridades}} |
{{Control de autoridades}} |
||
| ⚫ | |||
[[Categoría:Premio Nobel de Física]] |
[[Categoría:Premio Nobel de Física]] |
||
[[Categoría:Físicos do Xapón]] |
[[Categoría:Físicos do Xapón]] |
||
Revisión como estaba o 3 de maio de 2016 ás 17:35
Leo Esaki (en xaponés: 江崎 玲於奈, えさき れおな, Esaki Reona), nado en Osaca o 12 de marzo de 1925, é un físico xaponés galardoado co Premio Nobel de Física no ano 1973.
Traxectoria
Estudou física na Universidade de Toquio, licenciándose en 1947 e doutorándose en 1959. Tras traballar como investigador na empresa Sony, en 1960 trasladouse aos Estados Unidos onde foi contratado no centro de investigación da empresa IBM Thomas J. Watson Research Center.
Investigacións científicas
Interesado na mecánica cuántica realizou investigacións ao redor do efecto túnel sobre os semicondutores e superconductores, explicando o efecto do diodo de Esaki polo cal estudou o paso de electróns a través dunha barreira sólida sen deixar ningún rastro, reagrupándose despois na súa formación inicial. Esta teoría ten aplicacións actuais en electrónica, medicina e astronáutica.
No ano 1973 foi galardoado co Premio Nobel de Física, xunto con Ivar Giaever e Brian David Josephson, polos experimentos ao redor de semicondutores e supercondutores.
